Η Компанија Самсунг Елецтроницс, светски лидер у напредној меморијској технологији, најавио је масовна производња мобилног ДРАМ-а са највећим капацитетом.
Η нови мобилни ДРАМ је прва индустрија величине 4Кс 12 гигабајта (ГБ), мала потрошња, двострука брзина података (ЛПДДР4Кс) - оптимизовано за сутрашње премијум паметне телефоне. Са већим капацитетом од већине ултра-танких преносних рачунара, нови мобилни ДРАМ ће омогућити корисницима да максимално искористе све карактеристике паметног телефона следеће генерације.
„Покретањем масовне производње новог ЛПДДР4Кс, Самсунг завршава пуну линију напредних меморијских производа који ће унапредити нову еру паметних телефона, укључујући решења за складиштење од 12 ГБ мобилног ДРАМ-а до 512 ГБ еУФС 3“, рекао је Севон Цхун, извршни потпредседник Председник маркетинга меморије компаније Самсунг Елецтроницс. „Поред тога, са ЛПДДР4Кс, јачамо нашу позицију као произвођача врхунске мобилне меморије како бисмо ефикасно задовољили брзо растућу потражњу произвођача паметних телефона широм света.“
Захваљујући мобилном ДРАМ-у од 12 ГБ, произвођачи паметних телефона могу да максимизирају могућности уређаја са више од пет камера, све већом величином екрана, као и вештачком интелигенцијом (АИ) и 5Г функцијама. Са новим 12ГБ ДРАМ-а, корисници паметних телефона могу истовремено и неприметно да обављају многе задатке, брже претражују, без напора се крећу између бројних апликација, на веома великим екранима веће резолуције. Такође, његов танак дизајн (само 1.1 мм) служи елегантном, једноставном дизајну паметних телефона.
Капацитет од 12 ГБ је постигнут комбинацијом шест (6) ЛПДДР4Кс чипова, сваки од 16 гигабита, на основу обраде друге генерације од 10нм (1и-нм), у једном пакету, ослобађајући више простора за батерију паметног телефона. Поред тога, користећи Самсунгову 1и-нм технологију, нова мобилна меморија од 12 ГБ обезбеђује брзину преноса података до 34.1 ГБ у секунди, истовремено смањујући неизбежно повећање потрошње енергије узроковано повећањем капацитета ДРАМ-а.
Од издавања 1ГБ мобилног ДРАМ-а 2011. године, Самсунг наставља да води развој на тржишту мобилног ДРАМ-а, са увођењем 6ГБ мобилног ДРАМ-а 2015. године, 8ГБ 2016. године и увођењем првог ЛПДДР12Кс од 4ГБ. Са најсавременије производне линије меморије у Кореји, Самсунг планира да више него утростручи понуду мобилних ДРАМ-а од 8 ГБ и 12 ГБ заснованих на 1и-нм, у другој половини 2019. како би задовољио очекивану велику потражњу.
Распоред производње Самсунг Мобиле ДРАМ-а: масовна производња
Датум | Капацитет | Мобиле ДРАМ |
фебруар 2019 | КСНУМКСГБ | 1и-нм 16Гб ЛПДДР4Кс, 4266Мб/с |
Јули 2018 | КСНУМКСГБ | 1и-нм 16Гб ЛПДДР4Кс, 4266Мб/с |
април 2018 | 8ГБ (развој) | 1к-нм 8Гб ЛПДДР5, 6400Мб/с |
септембар 2016 | КСНУМКСГБ | 1к-нм 16Гб ЛПДДР4Кс, 4266Мб/с |
август 2015 | КСНУМКСГБ | 20нм (2з) 12Гб ЛПДДР4, 4266Мб/с |
децембар 2014 | КСНУМКСГБ | 20нм (2з) 8Гб ЛПДДР4, 3200Мб/с |
септембар 2014 | КСНУМКСГБ | 20нм (2з) 6Гб ЛПДДР3, 2133Мб/с |
Нема в. 2013 | КСНУМКСГБ | 2и-нм 6Гб ЛПДДР3, 2133Мб/с |
Јули 2013 | КСНУМКСГБ | 2и-нм 4Гб ЛПДДР3, 2133Мб/с |
април 2013 | КСНУМКСГБ | 2и-нм 4Гб ЛПДДР3, 2133Мб/с |
август 2012 | КСНУМКСГБ | 30нм класе 4Гб ЛПДДР3, 1600Мб/с |
2011 | КСНУМКС / КСНУМКСГБ | 30нм класе 4Гб ЛПДДР2, 1066Мб/с |
2010 | 512МВ | 40нм-класа 2Гб МДДР, 400Мб/с |
2009 | 256МВ | 50нм-класа 1Гб МДДР, 400Мб/с |