Покреће га Самсунг-ов В-НАНД 5. генерације, нова универзална флеш меморија нуди 20 пута више простора за складиштење од 64 ГБ интерне меморије и 10 пута већу брзину од стандардне мицроСД картице за апликације са великим бројем података.
Η Самсунг Елецтроницс Цо., Лтд., светски лидер у напредној меморијској технологији, данас је најавио масовну производњу првог у индустрији интегрисаног Универсал Фласх Стораге-а (еУФС) 2.1 величине терабајта за употребу у мобилним апликацијама следеће генерације. Само четири године након најаве првог УФС решења, 128ГБ еУФС, Самсунг је премашио дуго очекивани лимит од једног терабајта у меморији паметног телефона. Заљубљеници у паметне телефоне ће ускоро моћи да уживају у капацитету складиштења који се може упоредити са капацитетом премијум нотебоок рачунара, без потребе да додају додатне меморијске картице својим мобилним телефонима.
„Очекује се да ће 1ТБ еУФС играти важну улогу у креирању надограђеног корисничког искуства на мобилним уређајима следеће генерације, слично као код преносивих рачунара“, рекао је Чеол Чои, извршни потпредседник за продају и маркетинг меморије у компанији Самсунг Елецтроницс. „Самсунг је такође посвећен обезбеђивању најпоузданијег ланца снабдевања и довољних обима производње за подршку издавању предстојећих водећих паметних телефона, са циљем да убрза раст на глобалном тржишту мобилних телефона.
Одржавајући исту величину пакета (11.5 мм к 13.0 мм), 1ТБ еУФС решење удвостручује капацитет претходне верзије од 512 ГБ, комбинујући 16 слојева напредније В-НАНД флеш меморије од 512 ГБ и новоразвијени власнички меморијски контролер. Корисници паметних телефона моћи ће да чувају 260 десетоминутних видео записа у 4К УХД резолуцији (3840Кс2160), док стандардни еУФС од 64 ГБ, који приказује већина модерних паметних телефона, може да складишти 13 видео записа исте величине.
1ТБ еУФС је изузетно брз, омогућавајући корисницима да преносе велики, мултимедијални садржај за знатно краће време. При брзинама до 1.000 мегабајта у секунди (МБ/с), нови еУФС има око два пута већу брзину секвенцијалног читања од стандардног 2.5-инчног САТА ССД-а. То значи да се Фулл ХД видео записи од 5 ГБ могу преузети на НВМе ССД за само пет секунди, што је 10 пута брже од стандардне мицроСД картице. Поред тога, насумична брзина читања је повећана за 38% у поређењу са верзијом од 512 ГБ, достижући 58.000 ИОПС. Насумичне регистрације су 500 пута брже од мицроСД картице високих перформанси (100 ИОПС), достижући 50.000 ИОПС. Насумичне брзине омогућавају континуирано снимање великом брзином при 960 кадрова у секунди и дају корисницима паметних телефона прилику да искористе на најбољи начин могућности са више камера модерних уређаја и водећих модела нове генерације.
За прву половину 2019. Самсунг планира да прошири производњу следеће генерације В-НАНД 512ГБ у својој фабрици у Кореји како би управљао великом потражњом за дуго очекиваним 1ТБ еУФС од произвођача мобилних уређаја широм света.
[тхе_ад_гроуп ид = ”966 ″]
